147N12N-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：100V；VGS：20（±V）；Vth：2.5V；RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V；ID：100A；Technology：Trench；
根据提供的文件信息，我们可以深入探讨有关147N12N-VB TO220这款N-Channel沟道TO220封装MOS管的技术规格、特性及其应用领域。

### 一、产品概述

147N12N-VB TO220是一款采用TO220封装的N-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其设计用于高功率应用场合。该MOSFET具备以下主要技术参数：

- **最大工作结温**：175°C。
- **符合RoHS指令**：2002/95/EC。
- **最高击穿电压**（Drain-Source Voltage）：100V。
- **最大栅源电压**（Gate-Source Voltage）：±20V。
- **阈值电压**（Vth）：2.5V。
- **导通电阻**（RDS(ON)）：
- @VGS=4.5V时为20mΩ；
- @VGS=10V时为9mΩ。
- **连续漏极电流**（ID）：100A。
- **技术类型**：Trench型。

### 二、关键技术指标详解

#### 1. 绝对最大额定值

- **最高漏源电压**（VDS）：100V，即当器件在正常工作状态下的最高承受电压。
- **最高栅源电压**（VGS）：±20V，表示栅极与源极之间的最高允许电压差。
- **连续漏极电流**（ID）：
- 当结温(TJ)为150°C时，最大值为100A。
- 当环境温度(TA)为125°C时，最大值为75A。
- **脉冲漏极电流**（IDM）：300A，指在特定脉冲宽度下，器件能够承受的最大瞬间电流。
- **雪崩电流**（IA）：75A，即在特定条件下，器件能够承受的最大反向瞬态电流。
- **单脉冲雪崩能量**（EAS）：280mJ，在特定条件下，器件能够承受的最大反向能量。
- **最大功率耗散**（PD）：
- 在TO-220AB封装时，最大值为250W。
- 在TO-263封装时，最大值为3.75W。
- **操作结温和存储温度范围**（TJ, Tstg）：-55°C至175°C，指器件能够在该温度范围内正常工作。

#### 2. 热阻特性

- **结至环境热阻**（RthJA）：
- PCB安装（TO-263）时为40°C/W。
- 自由空气（TO-220AB）时为62.5°C/W。
- **结至壳热阻**（RthJC）：0.6°C/W。

### 三、技术特点

- **TrenchFET® Power MOSFET**：该技术通过减少沟道电阻来提高效率，降低导通损耗。
- **最大工作结温为175°C**：相比传统MOSFET的150°C，具有更高的温度承受能力，适用于更广泛的高温应用环境。
- **符合RoHS指令**：表明产品满足欧盟关于限制有害物质的规定，环保且安全。

### 四、应用领域

由于147N12N-VB TO220具有较高的连续电流能力和耐压性，因此广泛应用于以下领域：

- **电力电子系统**：如逆变器、转换器等。
- **电源管理**：如开关电源、UPS系统等。
- **电机控制**：适用于各种驱动电路。
- **汽车电子**：适合于汽车发动机管理系统、电动助力转向系统等。

147N12N-VB TO220作为一款高性能N-Channel沟道MOSFET，凭借其卓越的电气性能和热性能，在高功率电子设备中扮演着重要角色。