CMOS反相器是数字电路中的基本元件，广泛应用于各种集成电路设计中。它主要由N沟道MOSFET（N-MOS）和P沟道MOSFET（P-MOS）组成，能够将输入信号转换为相反的逻辑电平。在Multisim这款强大的电路仿真软件中，我们可以设计并仿真CMOS反相器的工作原理和特性。

CMOS反相器的基本电路结构包括一个N-MOS管和一个P-MOS管，它们并联连接在电源VDD和地之间。N-MOS管的栅极与P-MOS管的栅极共用一个输入端，通常称为输入端或IN，而N-MOS管的源极和P-MOS管的漏极相连，形成输出端或OUT。在正常工作条件下，当输入为高电平时，P-MOS管导通，N-MOS管截止，输出端被拉低至地电位，实现逻辑“0”；反之，当输入为低电平时，N-MOS管导通，P-MOS管截止，输出端被拉高至接近电源电压，实现逻辑“1”。

Multisim是美国National Instruments公司开发的一款模拟和数字电路的仿真工具，它提供了直观的虚拟工作台界面，允许用户在设计电路时进行实时的仿真。在这个CMOS反相器的电路结构.ms9文件中，我们可以看到详细的Multisim设计步骤和仿真设置。我们需要在工作区中放置N-MOS和P-MOS晶体管，然后根据电路连接规则连接它们的源、漏、栅极和体引脚。接着，设置输入信号源，可以是电压波形或者开关信号，通过改变输入端的电压来观察输出端的变化。

在仿真过程中，Multisim提供多种分析工具，如时域分析、频率域分析等。时域分析可以显示输入信号与输出信号的波形，帮助我们理解CMOS反相器的延迟特性；而频率域分析则能揭示其频率响应，这对于了解高速数字系统中的信号完整性至关重要。此外，我们还可以利用Multisim的参数扫描功能，探索不同工作条件下的反相器性能，例如电压摆幅、阈值电压变化对电路的影响。

在完成仿真后，我们能得到关于CMOS反相器的各种性能指标，如传输延迟、噪声容限、功耗等。这些数据对于评估电路设计的优劣和优化电路参数具有重要意义。同时，Multisim还支持电路图的保存和导出，便于与其他工程师共享设计成果或用于教学演示。

通过Multisim设计和仿真的CMOS反相器不仅让我们深入理解了其工作原理，还能实际操作验证电路性能，是学习数字电路设计的重要实践环节。这个压缩包文件中的CMOS反相器电路结构.ms9文件，无疑为学生和工程师提供了宝贵的参考资料，有助于提升数字电路设计和仿真技能。