摘要：随着深亚微米CMOS工艺的发展，尺寸按比例不断缩小，对芯片面积的挑战越来越严重，双极型晶体管以及高精度电阻所占用的面积则成为一个非常严重的问题。鉴于此，本文提出了一款高精度的基准电压源的设计方案，经证实，该电路具备占用芯片面积小，精度高，可移植性强的优势特性。

　　0 引 言

　　随着集成电路的发展，一个高稳定、高精度的基准电压源变得越来越重要。特别是在D/A,A/D转换以及PLL电路中，温度稳定性和精度之间关系到整个电路的精确度和性能。

　　当今设计的基准电压源大多数采用BJT带隙基准电压源结构，以及利用MOS晶体管的亚阈特性产生基准电压源；然而，随着深亚微米CMOS工艺的发展，